- 臭氧發(fā)生器型號(hào)：Atlas H30和3S-J5000
- 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：ALD
- 使用單位：中科院
中科院-高濃度臭氧發(fā)生器用于A(yíng)LD
該臭氧發(fā)生器濃度可達(dá)300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測(cè)儀對(duì)濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。
高濃度臭氧發(fā)生器在A(yíng)LD（原子層沉積）中有廣泛的應(yīng)用。ALD是一種薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)周期性的氣相反應(yīng)，一層一層地沉積原子尺度的薄膜。臭氧在A(yíng)LD中通常用作氧化劑，與金屬有機(jī)前體反應(yīng)，形成金屬氧化物薄膜。
高濃度的臭氧發(fā)生器能夠提供更高的臭氧濃度，這對(duì)于快速且均勻地進(jìn)行ALD過(guò)程至關(guān)重要。這種設(shè)備通常需要嚴(yán)格的控制和安全措施，以確保在工藝中保持穩(wěn)定的氣相條件，從而獲得高質(zhì)量的薄膜沉積。
